2EDL8033G4BXTMA1 vs 2EDN7434RXTMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 2EDL8033G4BXTMA1 tarafından Infineon ve 2EDN7434RXTMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 2EDL8033G4BXTMA1 2EDN7434RXTMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Ağ Yapısı Half-bridge (high-side + low-side) —
Maximum Bootstrap Voltage (VBS) 120 V —
Source Drive Current 3 A —
Sink Drive Current 4 A —
Number of Channels 2 (HS + LS) —
Isolation Type Junction-isolated (non-galvanic) —
Input Logic Compatibility TTL LV-TTL, non-inverting
Input Common-Mode Range -10 V to 20 V —
Input Type Independent HS and LS —
Integrated Dead-Time Control Yes (programmable) —
Under-Voltage Lockout (VCC/VDD) Yes —
Under-Voltage Lockout (VBS/High-Side) Yes —
Shoot-Through Protection Yes —
Paket PG-VDSON-8-5 PG-TSSOP-8 (3.0 x 3.0 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant Compliant
Marking Code 2ED8033G4B —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — EiceDRIVER 2EDN
Driver Configuration — Dual-channel low-side
Number of Drivers — 2
Peak Output Current — 5 A (source/sink)
Rated Output Current — 4 A
Output Resistance (Low) — [DATA_NEEDED: output resistance Ron low]
Output Resistance (High) — [DATA_NEEDED: output resistance Ron high]
Propagation Delay (Typ.) — 19 ns
Absolute Max Input Voltage — -12 V to +22 V
Supply Voltage Range — [DATA_NEEDED: VDD range]
İşletim Sıcaklığı Aralığı — [DATA_NEEDED: operating temperature]
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Active Output Voltage Clamping — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin