2EDL8124GXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 2EDL8124GXUMA1 tarafından Infineon ve 1ED3124MC12HXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
2EDL8124GXUMA1 - 120V Boot 4A Junction-isolated Gate Driver | Infineon
2EDL8124GXUMA1 ✓ Aktif
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | 2EDL8124GXUMA1 | 1ED3124MC12HXUMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Driver Configuration | Half-bridge (high-side + low-side) | — |
| Input Type | Non-inverting, TTL-compatible with hysteresis | — |
| Number of Drivers | 2 | 1 |
| Peak Source Current | 3 A | 13.5 A |
| Peak Sink Current | 4 A | 14 A |
| Bootstrap Supply (VBS) Maximum | 120 V | — |
| VCC Supply Range | [DATA_NEEDED: VCC min/max typical range] | — |
| Isolation Type | Junction isolation (JI) | — |
| Bootstrap Diode | Integrated | — |
| Propagation Delay (typical) | < 50 ns | — |
| Delay Matching Between Channels | [DATA_NEEDED: delay matching spec in ns] | — |
| UVLO | Present on VCC and VBS | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | [DATA_NEEDED: operating temperature range in C] | — |
| Paket | PG-VDSON-8-4 (4 mm x 4 mm) with exposed pad | PG-DSO-8 (DSO-8) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Channel Type | — | Single-channel |
| Configuration | — | High-side / Low-side (non-inverting) |
| Çıkış Sayısı | — | 1 |
| Isolation Technology | — | Magnetic coupling (coreless transformer) |
| Isolation Voltage (RMS) | — | 5.7 kV |
| Transient Overvoltage | — | 8000 Vpk |
| Supply Voltage (VCC2) | — | 10.5 V to 35 V |
| Supply Current (Max) | — | 1.1 mA |
| Propagation Delay (Typ) | — | 90 ns |
| Artış Süresi | — | 15 ns |
| Düşüş Süresi | — | 30 ns |
| İşletim Sıcaklığı | — | -40 C to +125 C |
| Protections | — | UVLO, Short-Circuit (DESAT) |
| Target Devices | — | IGBT, SiC MOSFET |