2EDN7533BXTSA1 vs 2EDN7533RXTMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 2EDN7533BXTSA1 tarafından Infineon ve 2EDN7533RXTMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 2EDN7533BXTSA1 2EDN7533RXTMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Product Type Dual-channel low-side gate driver IC —
Number of Channels 2 2
Logic Polarity Inverting —
Peak Source/Sink Current ±5 A —
Supply Voltage (VDD) 4.5 V to 20 V —
Propagation Delay (typ.) 19 ns 19 ns
Channel-to-Channel Skew [DATA_NEEDED: skew value] —
Input Compatibility LV-TTL, -12 V to +22 V absolute max tolerant —
UVLO Integrated under-voltage lockout —
Output Clamping Active gate voltage clamping —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40 C to +125 C —
Paket PG-SOT23-6-1 (6-pin SOT-23, 2.9x1.6 mm) PG-TSSOP-8 (HTSSOP) with exposed pad
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Fonksiyon — Dual-channel low-side gate driver
Input Polarity — Inverting
Peak Source/Sink Output Current — 5 A
Output Resistance (Pull-up, typ.) — 0.5 ohm
Output Resistance (Pull-down, typ.) — 0.3 ohm
Channel-to-Channel Delay Matching — 1.3 ns (typ.)
Rise/Fall Time — 1.7 ns / 1.5 ns (typ., 1 nF load)
Input Logic Compatibility — LV-TTL
Input Voltage Tolerance — -12 V to +22 V
Supply Voltage VDD (recommended) — 4.5 V to 20 V
Supply Voltage VDD (absolute max) — 25 V
Under-Voltage Lockout — Yes (per channel)
İşletim Jant Sıcaklığı — -40 C to +150 C

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin