2N7002-7-F vs BSS138NH6327XTSA2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 2N7002-7-F tarafından Diodes Incorporated ve BSS138NH6327XTSA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 2N7002-7-F BSS138NH6327XTSA2
Marka Diodes Incorporated Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Türü N-Channel Enhancement-Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS max) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 115 mA —
Continuous Drain Current Range (per Mouser listing) 105 mA to 210 mA —
Power Dissipation (PD) at Ta 370 mW —
On-Resistance RDS(on) 7.5 ohm to 13.5 ohm —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Paket SOT-23-3 (TO-236) PG-SOT-23 (3-pin)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: Tj / TA operating range] [DATA_NEEDED: Tj max and operating range]
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge typical] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss typical] —
RoHS Durumu Compliant —
Terminal Finish Matte tin (solderable per MIL-STD-202, method 208) —
Channel Mode Enhancement —
Technology Trench MOSFET —
Polarity — N-Channel
Operating Mode — Enhancement
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) — 60 V
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 3.5 ohm
Continuous Drain Current (Ta) — 230 mA
Power Dissipation (Ta) — 360 mW
Gate Threshold V_GS(th) — [DATA_NEEDED: typical V_GS(th) value]
Gate-Source Voltage V_GS max — ±20 V
dv/dt Rated — Yes
Klorürsüz — Yes (per IEC 61249-2-21)
RoHS Compliance — Compliant
AEC-Q101 Qualification — Qualified
Lead Plating — Pb-free
Marking Code — [DATA_NEEDED: top-side marking code]
Packaging — Tape and Reel

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin