BSC014NE2LSIATMA1 vs BSC010NE2LSIATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC014NE2LSIATMA1 tarafından Infineon ve BSC010NE2LSIATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC014NE2LSIATMA1 BSC010NE2LSIATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V) OptiMOS (Trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 25 V
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 33 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc) [DATA_NEEDED: Tc condition rating] —
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) 100 A —
On-State Resistance RDS(on) 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 74 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +150 °C —
Paket PG-TDSON-8-7 (SuperSO8) PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 EP)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series / Family — OptiMOS 25V
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TA — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 100 A
Power Dissipation (PD) at TA — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC — 96 W
Configuration — Single N-Channel
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C (TJ)
Pin Sayısı — 8
Gate Drive — Logic-level compatible
Rds(on) at 10V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=10V]
Rds(on) at 4.5V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=4.5V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin