BSC014NE2LSIATMA1 vs BSC010NE2LSIATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC014NE2LSIATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC010NE2LSIATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC014NE2LSIATMA1 | BSC010NE2LSIATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Technology | N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V) | OptiMOS (Trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 25 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 33 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | [DATA_NEEDED: Tc condition rating] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | 100 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) | 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 74 W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55 °C to +150 °C | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8) | PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 EP) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series / Family | — | OptiMOS 25V |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 38 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 100 A |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 96 W |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55C to +150C (TJ) |
| پن کی تعداد | — | 8 |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |
| Rds(on) at 10V | — | [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=10V] |
| Rds(on) at 4.5V | — | [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=4.5V] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |