BSC014NE2LSIATMA1 vs BSC016N06NSTATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC014NE2LSIATMA1 tarafından Infineon ve BSC016N06NSTATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC014NE2LSIATMA1 BSC016N06NSTATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V) OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 33 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc) [DATA_NEEDED: Tc condition rating] —
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) 100 A —
On-State Resistance RDS(on) 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 3 W
Power Dissipation (Tc) 74 W 167 W
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +150 °C —
Paket PG-TDSON-8-7 (SuperSO8) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC016N06NSTATMA1
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 31 A
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10V) — 1.6 mOhm
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +150 C
Series — OptiMOS

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin