BSC014NE2LSIATMA1 vs BSC016N06NSTATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSC014NE2LSIATMA1 bằng Infineon và BSC016N06NSTATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSC014NE2LSIATMA1 BSC014NE2LSIATMA1 - 25V OptiMOS N-Ch MOSFET 100A | Infineon

BSC014NE2LSIATMA1 - 25V OptiMOS N-Ch MOSFET 100A | Infineon

BSC014NE2LSIATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSC016N06NSTATMA1 BSC016N06NSTATMA1 - 60V OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

BSC016N06NSTATMA1 - 60V OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

BSC016N06NSTATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSC014NE2LSIATMA1 BSC016N06NSTATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V) OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 33 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc) [DATA_NEEDED: Tc condition rating] —
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) 100 A —
On-State Resistance RDS(on) 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 3 W
Power Dissipation (Tc) 74 W 167 W
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55 °C to +150 °C —
Hộp PG-TDSON-8-7 (SuperSO8) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Cấp MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC016N06NSTATMA1
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 31 A
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10V) — 1.6 mOhm
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55 C to +150 C
Series — OptiMOS

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá