BSC015NE2LS5IATMA1 vs ISC0802NLSATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC015NE2LS5IATMA1 tarafından Infineon ve ISC0802NLSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC015NE2LS5IATMA1 | ISC0802NLSATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 25V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 33 A | 22 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | 150 A |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | 1.5 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 50 W | — |
| Paket | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin Sayısı | 8 | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench | OptiMOS 5 (Power MOSFET) |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C (junction) | -55 C to +175 C |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Total Gate Charge Qg Typ | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Part Number | — | ISC0802NLSATMA1 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 3.6 mOhm |
| Power Dissipation (Pd) at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 125 W |