BSC016N06NSTATMA1 vs BSC097N06NSATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC016N06NSTATMA1 tarafından Infineon ve BSC097N06NSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC016N06NSTATMA1 BSC097N06NSATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC016N06NSTATMA1 —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology OptiMOS 5 OptiMOS 5 (Trench)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 31 A —
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10V) 1.6 mOhm —
Power Dissipation (Tc) 167 W —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Paket PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +150 C —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (Unlimited)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Series OptiMOS OptiMOS 5
Part Status — Active
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 46 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — [DATA_NEEDED: ID at Ta=25C PCB-mounted]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM peak value]
RDS(on) max at VGS=10 V — 9.7 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Gate Charge (Qg typ) — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Power Dissipation at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation at Tc=25C — 36 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55C to +150C
Paket / Kas — PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm)
Avalanche Rated — Yes (EAS per datasheet)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin