BSC016N06NSTATMA1 vs BSC097N06NSATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC016N06NSTATMA1 מאת Infineon ו BSC097N06NSATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSC016N06NSTATMA1 | BSC097N06NSATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC016N06NSTATMA1 | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | OptiMOS 5 | OptiMOS 5 (Trench) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | 31 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max (VGS=10V) | 1.6 mOhm | — |
| Power Dissipation (Tc) | 167 W | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| מארז | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 C to +150 C | — |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 (Unlimited) |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Series | OptiMOS | OptiMOS 5 |
| Part Status | — | Active |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 46 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | [DATA_NEEDED: ID at Ta=25C PCB-mounted] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM peak value] |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 9.7 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Gate Charge (Qg typ) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] |
| Power Dissipation at Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc=25C | — | 36 W |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55C to +150C |
| מארז / Case | — | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Avalanche Rated | — | Yes (EAS per datasheet) |