BSC020N03LSGATMA1 vs BSC120N03LSGATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC020N03LSGATMA1 tarafından Infineon ve BSC120N03LSGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC020N03LSGATMA1 BSC120N03LSGATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 28 A 12 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 100 A 39 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1 V to 2.2 V (typical range, per datasheet) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V approximately 2.0 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 96 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +150 C (junction) -55C to +150C (TJ)
Paket / Kas PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5 mm x 6 mm) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon datasheet) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Product Family — OptiMOS 3
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V — 12 mOhm (typical)
On-State Resistance RDS(on) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 28 W
Paket — PG-TDSON-8-5 (SuperSO-8, 5x6 mm)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin