BSC020N03LSGATMA1 vs BSC120N03LSGATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC020N03LSGATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC120N03LSGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
BSC020N03LSGATMA1 - 30V N-Channel OptiMOS 3, 100A TDSON-8 | Infineon
BSC020N03LSGATMA1 ✓ فعال
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC020N03LSGATMA1 | BSC120N03LSGATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 28 A | 12 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 100 A | 39 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1 V to 2.2 V (typical range, per datasheet) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | approximately 2.0 mOhm | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 96 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 C to +150 C (junction) | -55C to +150C (TJ) |
| پیکیج / کیس | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5 mm x 6 mm) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon datasheet) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Product Family | — | OptiMOS 3 |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 12 mOhm (typical) |
| On-State Resistance RDS(on) at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 28 W |
| پیکیج | — | PG-TDSON-8-5 (SuperSO-8, 5x6 mm) |