BSC027N04LSGATMA1 vs BSC030N08NS5ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC027N04LSGATMA1 tarafından Infineon ve BSC030N08NS5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC027N04LSGATMA1 | BSC030N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 3 | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | +/-20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 24 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 2.7 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | 2.5 W | — |
| Güç Tüketimi (TC=25°C) | 83 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55°C to +150°C | — |
| Paket | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 3 (Trench) | OptiMOS 5 |
| MSL Seviyesi | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Klorürsüz | Yes | Yes |
| Product Type | — | N-Channel Power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | — | 161 A |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 3.0 mOhm |
| RDS(on) max at VGS=7 V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=7V] |
| Power Dissipation (Ta=25C, 1.5mm FR4) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (TC=25C) | — | 139 W |
| Operating Temperature Range (TJ) | — | -55C to +150C |
| Lead-Free | — | Yes |
| Gate Drive Logic | — | Standard 10V, compatible with 12V drive |
| Optimized Application | — | Synchronous Rectification |