BSC027N04LSGATMA1 vs BSC030N08NS5ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC027N04LSGATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC030N08NS5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC030N08NS5ATMA1 BSC030N08NS5ATMA1 - 80V 100A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC030N08NS5ATMA1 - 80V 100A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC030N08NS5ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC027N04LSGATMA1 BSC030N08NS5ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V +/-20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 2.7 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 2.5 W —
پاور ڈسپیشن (TC=25°C) 83 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55°C to +150°C —
پیکیج PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 3 (Trench) OptiMOS 5
MSL لیول 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
ہیلوجن فری Yes Yes
Product Type — N-Channel Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — 161 A
RDS(on) max at VGS=10 V — 3.0 mOhm
RDS(on) max at VGS=7 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=7V]
Power Dissipation (Ta=25C, 1.5mm FR4) — 2.5 W
Power Dissipation (TC=25C) — 139 W
Operating Temperature Range (TJ) — -55C to +150C
Lead-Free — Yes
Gate Drive Logic — Standard 10V, compatible with 12V drive
Optimized Application — Synchronous Rectification

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں