BSC030N03MSGATMA1 vs BSC0993NDATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC030N03MSGATMA1 tarafından Infineon ve BSC0993NDATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC030N03MSGATMA1 BSC0993NDATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3M —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 5 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 3.0 mΩ (typical at VGS=10V) —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc=25°C 69 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55°C to +150°C —
Paket PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 8-pin, exposed pad) PG-TISON-8
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant Compliant
Drive Voltage (Min/Max RDS(on)) 4.5V / 10V —
Status Active —
Product Series — OptiMOS 5 30V
Configuration — Dual N-Channel (Array)
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) @ Ta — 17 A
Channel Mode — Enhancement
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C (junction)
ESD Protection — Yes (integrated)
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL level]
Lead-Free — Yes
Rds(on) max @ Vgs=10V — [DATA_NEEDED: Rds(on) value]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin