BSC030N03MSGATMA1 vs BSC0993NDATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSC030N03MSGATMA1 توسط Infineon و BSC0993NDATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSC030N03MSGATMA1 BSC030N03MSGATMA1 - 30V N-Ch MOSFET, 3mΩ OptiMOS | Infineon

BSC030N03MSGATMA1 - 30V N-Ch MOSFET, 3mΩ OptiMOS | Infineon

BSC030N03MSGATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSC030N03MSGATMA1 BSC0993NDATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3M —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 5 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 3.0 mΩ (typical at VGS=10V) —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc=25°C 69 W —
دمای اتصال کاری -55°C to +150°C —
بسته‌بندی PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 8-pin, exposed pad) PG-TISON-8
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Drive Voltage (Min/Max RDS(on)) 4.5V / 10V —
Status Active —
Product Series — OptiMOS 5 30V
Configuration — Dual N-Channel (Array)
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) @ Ta — 17 A
Channel Mode — Enhancement
محدوده دمای کاری — -55C to +150C (junction)
ESD Protection — Yes (integrated)
سطح MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Lead-Free — Yes
Rds(on) max @ Vgs=10V — [DATA_NEEDED: Rds(on) value]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت