BSC032N04LSATMA1 vs IPB038N12N3GATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC032N04LSATMA1 tarafından Infineon ve IPB038N12N3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC032N04LSATMA1 | IPB038N12N3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Series | OptiMOS 5 40V | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 21 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 98 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 3.2 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 52 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench | OptiMOS trench MOSFET |
| Paket | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55°C to +175°C | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Product Family | — | OptiMOS 120V |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 120 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc | — | 120 A |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | — | 300 W |
| On-State Resistance (Rds(on)) | — | 3.8 mOhm (typical) |
| Paket / Kas | — | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55C to +175C (junction) |
| Standard Package Quantity | — | 1000 (Tape & Reel) |
| Avalanche Rated | — | Yes |