BSC034N06NSATMA1 vs BSC0501NSIATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC034N06NSATMA1 tarafından Infineon ve BSC0501NSIATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC034N06NSATMA1 | BSC0501NSIATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 30 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | [DATA_NEEDED: IDM] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 3.4 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg] | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation at Ta=25C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc=25C | 74 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C | — |
| Technology | OptiMOS 5 | Trench-gate OptiMOS 5 |
| Paket | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon |
| Product Family | — | OptiMOS 5 25V/30V |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 29 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| Power Dissipation at Ta (PD) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc (PD) | — | 50 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V VGS] |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55C to +150C |
| Avalanche Rated | — | Yes |