BSC034N06NSATMA1 vs BSC0501NSIATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC034N06NSATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC0501NSIATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC034N06NSATMA1 | BSC0501NSIATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 30 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | [DATA_NEEDED: IDM] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 3.4 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg] | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation at Ta=25C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc=25C | 74 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +150C | — |
| Technology | OptiMOS 5 | Trench-gate OptiMOS 5 |
| پیکیج | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon |
| Product Family | — | OptiMOS 5 25V/30V |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 29 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| Power Dissipation at Ta (PD) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc (PD) | — | 50 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V VGS] |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55C to +150C |
| Avalanche Rated | — | Yes |