BSC042NE7NS3GATMA1 vs BSC027N10NS5ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC042NE7NS3GATMA1 tarafından Infineon ve BSC027N10NS5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC042NE7NS3GATMA1 | BSC027N10NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | NRND |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC042NE7NS3GATMA1 | BSC027N10NS5ATMA1 |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 3 | OptiMOS 5 (100V) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 75 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 19 A | 23 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | 100 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | 4.2 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 1.7 V | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 125 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C | [DATA_NEEDED: Tj min/max] |
| Paket | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 194 A |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | — | 2.7 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 214 W |
| Qualification | — | Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately) |