BSC042NE7NS3GATMA1 vs BSC027N10NS5ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC042NE7NS3GATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC027N10NS5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1 - 75V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC042NE7NS3GATMA1 - 75V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC042NE7NS3GATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC042NE7NS3GATMA1 BSC027N10NS5ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال NRND
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC042NE7NS3GATMA1 BSC027N10NS5ATMA1
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 3 OptiMOS 5 (100V)
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 19 A 23 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A 100 A
RDS(on) max at VGS=10V 4.2 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 1.7 V —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 125 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C [DATA_NEEDED: Tj min/max]
پیکیج PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Channel Type — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Pulsed Drain Current (IDM) — 194 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 2.7 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 214 W
Qualification — Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں