BSC0501NSIATMA1 vs BSC011N03LSATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC0501NSIATMA1 tarafından Infineon ve BSC011N03LSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC0501NSIATMA1 | BSC011N03LSATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 25V/30V | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 29 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | 100 A (TC) |
| Power Dissipation at Ta (PD) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc (PD) | 50 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | 1.0 V to 2.2 V (typ 1.6 V) |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V VGS] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55C to +150C | — |
| Paket | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Technology | Trench-gate OptiMOS 5 | — |
| Product Series | — | OptiMOS 30V |
| Polarity | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 37 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 1.1 mOhm (typ) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 96 W |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 2.5 W |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55C to +150C |