BSC0501NSIATMA1 vs BSC011N03LSATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSC0501NSIATMA1 bằng Infineon và BSC011N03LSATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSC0501NSIATMA1 | BSC011N03LSATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 25V/30V | — |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 29 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | 100 A (TC) |
| Power Dissipation at Ta (PD) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc (PD) | 50 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | 1.0 V to 2.2 V (typ 1.6 V) |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V VGS] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55C to +150C | — |
| Hộp | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Cấp MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Technology | Trench-gate OptiMOS 5 | — |
| Product Series | — | OptiMOS 30V |
| Polarity | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 37 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 1.1 mOhm (typ) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 96 W |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 2.5 W |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55C to +150C |