BSC0501NSIATMA1 vs BSC034N06NSATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC0501NSIATMA1 tarafından Infineon ve BSC034N06NSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC0501NSIATMA1 | BSC034N06NSATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon | — |
| Product Family | OptiMOS 5 25V/30V | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 29 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | [DATA_NEEDED: IDM] |
| Power Dissipation at Ta (PD) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc (PD) | 50 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V VGS] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | [DATA_NEEDED: Qg] |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55C to +150C | — |
| Paket | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Technology | Trench-gate OptiMOS 5 | OptiMOS 5 |
| Polarity | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 100 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 3.4 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Power Dissipation at Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc=25C | — | 74 W |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55C to +150C |