BSC0502NSIATMA1 vs BSC014N04LSATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC0502NSIATMA1 tarafından Infineon ve BSC014N04LSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
BSC0502NSIATMA1 - 30V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET 2.3mOhm | Infineon
BSC0502NSIATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC0502NSIATMA1 | BSC014N04LSATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (Trench MOSFET) | Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 26 A | — |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 2.3 mOhm | — |
| Gate Charge QG (0V to 4.5V) Typ | 9.0 nC | — |
| Output Charge QOSS Typ | 13.5 nC | — |
| Power Dissipation at TA (Ta=25C) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at TC (Tc=25C) | 43 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C | -55C to +175C |
| Paket | PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6) | SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 32 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 1.4 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 96 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | 20 V |
| MSL Seviyesi | — | 1 (unlimited) |