BSC0502NSIATMA1 vs BSC014N04LSATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC0502NSIATMA1 מאת Infineon ו BSC014N04LSATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSC0502NSIATMA1 | BSC014N04LSATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (Trench MOSFET) | Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 26 A | — |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 2.3 mOhm | — |
| Gate Charge QG (0V to 4.5V) Typ | 9.0 nC | — |
| Output Charge QOSS Typ | 13.5 nC | — |
| Power Dissipation at TA (Ta=25C) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at TC (Tc=25C) | 43 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +150C | -55C to +175C |
| מארז | PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6) | SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 32 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 1.4 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 96 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | 20 V |
| רמת MSL | — | 1 (unlimited) |