BSC052N08NS5ATMA1 vs BSC0901NSATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC052N08NS5ATMA1 tarafından Infineon ve BSC0901NSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC052N08NS5ATMA1 BSC0901NSATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC052N08NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS)
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 95 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 5.2 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5-3.0 V —
Total Power Dissipation (Tc) 83 W —
Total Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +150C —
Paket PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm TDSON-8-5 (PG-TDSON-8-5) / SuperSO8 5x6 mm
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 (unlimited) —
Part Family — OptiMOS 30V
Drain-to-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 28 A
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 1.9 mOhm
On-State Resistance RDS(on) Typ at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: Qg total]
Avalanche Energy (EAS) — 80 mJ
Power Dissipation (PD) at Tc — 69 W
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C
Nem Hassasiyet Seviyesi (MSL) — 1
Built-in Body Diode — Yes
Configuration — Single N-Channel with Built-in Diode

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin