BSC052N08NS5ATMA1 vs BSC0901NSATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSC052N08NS5ATMA1 bằng Infineon và BSC0901NSATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1 - 80V 95A 5.2mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC052N08NS5ATMA1 - 80V 95A 5.2mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC052N08NS5ATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSC0901NSATMA1 BSC0901NSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

BSC0901NSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

BSC0901NSATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSC052N08NS5ATMA1 BSC0901NSATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC052N08NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS)
Kiểu transitor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 95 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 5.2 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5-3.0 V —
Total Power Dissipation (Tc) 83 W —
Total Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55C to +150C —
Hộp PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm TDSON-8-5 (PG-TDSON-8-5) / SuperSO8 5x6 mm
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Cấp MSL 1 (unlimited) —
Part Family — OptiMOS 30V
Drain-to-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 28 A
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 1.9 mOhm
On-State Resistance RDS(on) Typ at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: Qg total]
Avalanche Energy (EAS) — 80 mJ
Power Dissipation (PD) at Tc — 69 W
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55C to +150C
Cấp độ độ ẩm nhạy cảm (MSL) — 1
Built-in Body Diode — Yes
Configuration — Single N-Channel with Built-in Diode

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá