BSC076N06NS3GATMA1 vs BSC066N06NSATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC076N06NS3GATMA1 tarafından Infineon ve BSC066N06NSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
BSC076N06NS3GATMA1 - 60V 50A 7.6mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon
BSC076N06NS3GATMA1 ✓ Aktif
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC076N06NS3GATMA1 | BSC066N06NSATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 3 | — |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET | OptiMOS 5 60 V trench-gate |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 50 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 7.6 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | 10.4 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.0 V to 3.5 V | 1.7 V (typ) |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | 26 nC (typ) |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 69 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C | — |
| Paket | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-6 (TDSON EP) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | 1 (unlimited) | 1 |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Klorürsüz | Yes (per Infineon product page) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 64 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C | — | 45 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 256 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 6.6 mΩ (max) |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 46 W |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | — | 2.5 W |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RθJC) | — | 1.3 °C/W |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55°C to +150°C |
| RoHS Durumu | — | Compliant |