BSC0911NDATMA1 vs BSC011N03LSATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC0911NDATMA1 tarafından Infineon ve BSC011N03LSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC0911NDATMA1 | BSC011N03LSATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 25V | — |
| Configuration | Dual N-Channel (2 N-CH) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 18 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 30 A | 100 A (TC) |
| Power Dissipation (PD) | 1 W | — |
| Paket | PG-TISON-8 (8-PowerTDFN) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı | -55C to +150C (junction) | — |
| Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | — |
| Technology | OptiMOS trench MOSFET | — |
| Gate Threshold (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| RDS(on) max @ VGS=10V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| Product Series | — | OptiMOS 30V |
| Polarity | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 37 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 1.1 mOhm (typ) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.0 V to 2.2 V (typ 1.6 V) |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 96 W |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 2.5 W |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55C to +150C |