BSC0921NDIATMA1 vs ISZ033N03LF2SATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC0921NDIATMA1 tarafından Infineon ve ISZ033N03LF2SATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC0921NDIATMA1 ISZ033N03LF2SATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Technology OptiMOS 25V (N-channel) OptiMOS 5
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) 17 A (per channel) —
Pulsed Drain Current (IDM) 31 A (per channel, package-limited) [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Total Power Dissipation (PD) 1 W —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V] —
Gate Charge (Qg) Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic) —
Output Charge (Qoss) Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic) —
Paket PG-TISON-8 (8-pin, exposed pad) PG-TSDSON-8 FL (8-pin)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı -55C to +150C (junction) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 (per Infineon OptiMOS family) —
Primary Application Synchronous buck converters, VRMs, POL regulators —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 20 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 109 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 71 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.35 V max @ 30 uA
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ]
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 C to +175 C

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin