BSC0921NDIATMA1 vs ISZ033N03LF2SATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSC0921NDIATMA1 توسط Infineon و ISZ033N03LF2SATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
ISZ033N03LF2SATMA1 ISZ033N03LF2SATMA1 - 30V 109A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

ISZ033N03LF2SATMA1 - 30V 109A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

ISZ033N03LF2SATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSC0921NDIATMA1 ISZ033N03LF2SATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Technology OptiMOS 25V (N-channel) OptiMOS 5
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) 17 A (per channel) —
Pulsed Drain Current (IDM) 31 A (per channel, package-limited) [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Total Power Dissipation (PD) 1 W —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V] —
Gate Charge (Qg) Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic) —
Output Charge (Qoss) Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic) —
بسته‌بندی PG-TISON-8 (8-pin, exposed pad) PG-TSDSON-8 FL (8-pin)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
دمای کاری -55C to +150C (junction) —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
سطح MSL 1 (per Infineon OptiMOS family) —
Primary Application Synchronous buck converters, VRMs, POL regulators —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 20 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 109 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 71 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.35 V max @ 30 uA
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ]
دمای اتصال کاری — -55 C to +175 C

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت