BSC093N15NS5ATMA1 vs BSC100N10NSFGATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC093N15NS5ATMA1 tarafından Infineon ve BSC100N10NSFGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
BSC100N10NSFGATMA1 - 100V OptiMOS N-Channel MOSFET, 10mΩ | Infineon
BSC100N10NSFGATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC093N15NS5ATMA1 | BSC100N10NSFGATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology | OptiMOS 5 150V | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 87 A | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V | 9.3 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 139 W | — |
| Paket | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-7) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Drive Voltage (VGS) Recommended | 10 V | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -55C to +150C (junction) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Klorürsüz | [DATA_NEEDED: halogen free status] | — |
| Series | — | OptiMOS |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID), Ta | — | 11.4 A |
| Continuous Drain Current (ID), Tc | — | 90 A |
| Power Dissipation (PD), Tc | — | 156 W |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | — | 10 mΩ |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 10 V (for rated RDS(on)) |