BSC093N15NS5ATMA1 vs BSC100N10NSFGATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC093N15NS5ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC100N10NSFGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
BSC100N10NSFGATMA1 - 100V OptiMOS N-Channel MOSFET, 10mΩ | Infineon
BSC100N10NSFGATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC093N15NS5ATMA1 | BSC100N10NSFGATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology | OptiMOS 5 150V | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 87 A | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V | 9.3 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 139 W | — |
| پیکیج | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-7) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Drive Voltage (VGS) Recommended | 10 V | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -55C to +150C (junction) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| ہیلوجن فری | [DATA_NEEDED: halogen free status] | — |
| Series | — | OptiMOS |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID), Ta | — | 11.4 A |
| Continuous Drain Current (ID), Tc | — | 90 A |
| Power Dissipation (PD), Tc | — | 156 W |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | — | 10 mΩ |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 10 V (for rated RDS(on)) |