BSC093N15NS5ATMA1 vs BSC100N10NSFGATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSC093N15NS5ATMA1 bằng Infineon và BSC100N10NSFGATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSC093N15NS5ATMA1 - 150V 9.3mΩ 87A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
BSC093N15NS5ATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
BSC100N10NSFGATMA1 - 100V OptiMOS N-Channel MOSFET, 10mΩ | Infineon
BSC100N10NSFGATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSC093N15NS5ATMA1 | BSC100N10NSFGATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology | OptiMOS 5 150V | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 87 A | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V | 9.3 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 139 W | — |
| Hộp | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-7) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Drive Voltage (VGS) Recommended | 10 V | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -55C to +150C (junction) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Đông trùng haogen | [DATA_NEEDED: halogen free status] | — |
| Series | — | OptiMOS |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID), Ta | — | 11.4 A |
| Continuous Drain Current (ID), Tc | — | 90 A |
| Power Dissipation (PD), Tc | — | 156 W |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | — | 10 mΩ |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 10 V (for rated RDS(on)) |