BSC094N06LS5ATMA1 vs BSD235CH6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC094N06LS5ATMA1 tarafından Infineon ve BSD235CH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC094N06LS5ATMA1 BSD235CH6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC094N06LS5ATMA1 —
Technology OptiMOS™ 5 (logic-level) OptiMOS™ low-voltage
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V 20 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 47 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
RDS(on) max at VGS=10 V 9.4 mΩ —
RDS(on) max at VGS=4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 36 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +150 °C —
Paket PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant Compliant (lead-free)
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Part Family — OptiMOS™
Configuration — N+P complementary dual MOSFET
N-Channel Continuous Drain Current (ID) — 950 mA
P-Channel Continuous Drain Current (ID) — 530 mA (negative polarity)
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW
Package Type — PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 °C to +150 °C (junction)
Polarity — N-channel + P-channel
Channel Mode — Enhancement
Pin Sayısı — 6

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin