BSC109N10NS3GATMA1 vs ISZ230N10NM6ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC109N10NS3GATMA1 tarafından Infineon ve ISZ230N10NM6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC109N10NS3GATMA1 | ISZ230N10NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 63 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 78 W | — |
| RDS(on) Max | 10.9 mOhm at VGS=10 V | — |
| Technology | OptiMOS 3 | OptiMOS 6 trench MOSFET |
| Paket | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Gate Charge (Qg) | 26 nC | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +175C | -55 °C to +150 °C (junction) |
| Pin Sayısı | 8 | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 7.7 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 31 A |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 48 W |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 23 mΩ (typ, ID=10A) |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 3.3 V (typ at 13 µA) |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 10 V |
| MSL Seviyesi | — | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Family | — | OptiMOS 6 (100V class) |