BSC146N10LS5ATMA1 vs BSC265N10LSFGATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC146N10LS5ATMA1 tarafından Infineon ve BSC265N10LSFGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
BSC146N10LS5ATMA1 BSC146N10LS5ATMA1 - 100V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC146N10LS5ATMA1 - 100V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC146N10LS5ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC146N10LS5ATMA1 BSC265N10LSFGATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Technology OptiMOS 5 (logic-level) OptiMOS 2 (TrenchFET)
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C 44 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: IDM] —
RDS(on) max at VGS=10 V 14.6 mOhm —
RDS(on) max at VGS=4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level (typ. ~1.7 V) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 52 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +150 C (TJ max) -55 C to +150 C (junction)
Paket PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (TDSON-8)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: EAS] —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 40 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 6.5 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 78 W
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total at VGS=10V]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss typical]
Lead-Free — Yes
Avalanche Rated — Yes
Series — OptiMOS 2

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin