BSC146N10LS5ATMA1 vs BSC265N10LSFGATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC146N10LS5ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC265N10LSFGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC146N10LS5ATMA1 BSC146N10LS5ATMA1 - 100V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC146N10LS5ATMA1 - 100V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC146N10LS5ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC146N10LS5ATMA1 BSC265N10LSFGATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Technology OptiMOS 5 (logic-level) OptiMOS 2 (TrenchFET)
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C 44 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: IDM] —
RDS(on) max at VGS=10 V 14.6 mOhm —
RDS(on) max at VGS=4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level (typ. ~1.7 V) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 52 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +150 C (TJ max) -55 C to +150 C (junction)
پیکیج PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (TDSON-8)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: EAS] —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 40 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 6.5 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 78 W
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total at VGS=10V]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss typical]
Lead-Free — Yes
Avalanche Rated — Yes
Series — OptiMOS 2

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں