BSC265N10LSFGATMA1 vs BSC146N10LS5ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC265N10LSFGATMA1 tarafından Infineon ve BSC146N10LS5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
BSC146N10LS5ATMA1 BSC146N10LS5ATMA1 - 100V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC146N10LS5ATMA1 - 100V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC146N10LS5ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC265N10LSFGATMA1 BSC146N10LS5ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 40 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 6.5 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 78 W —
Technology OptiMOS 2 (TrenchFET) OptiMOS 5 (logic-level)
Paket PG-TDSON-8-1 (TDSON-8) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] Logic-level (typ. ~1.7 V)
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total at VGS=10V] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss typical] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +150 C (junction) -55 C to +150 C (TJ max)
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Avalanche Rated Yes —
Series OptiMOS 2 —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C — 44 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: IDM]
RDS(on) max at VGS=10 V — 14.6 mOhm
RDS(on) max at VGS=4.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 52 W
Avalanche Energy (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin