BSP129H6327XTSA1 vs BSR316PH6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSP129H6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSR316PH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSP129H6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel, Depletion Mode P-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 350 mA —
On-Resistance RDS(on) max 4.2 ohm (some sources 6 ohm) —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 1.8 W —
Paket PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+Tab) PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-23 equivalent)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı -55 C to +150 C (junction) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Threshold Voltage VGS(off) [DATA_NEEDED: depletion threshold VGS(off)] —
dv/dt Ruggedness Yes (rated) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Process Technology SIPMOS (vertical DMOS) —
Drain Terminal Tab (pin 4) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSR316PH6327XTSA1
Series — OptiMOS
Continuous Drain Current (ID) at TA — -360 mA
Continuous Drain Current (ID) at TC — [DATA_NEEDED: ID at TC specific value]
On-State Resistance RDS(on) max — 1800 mOhm at VGS = -10 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — -1.7 V typical, -2.5 V max
Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg total]
Power Dissipation (Tc) — 500 mW
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +150 C (junction)
Qualification — Automotive
Polarity — P-Channel

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin