BSS127H6327XTSA2 vs BSP129H6906XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSS127H6327XTSA2 tarafından Infineon ve BSP129H6906XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
BSP129H6906XTSA1 BSP129H6906XTSA1 - 240V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP129H6906XTSA1 - 240V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP129H6906XTSA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSS127H6327XTSA2 BSP129H6906XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel SIPMOS, enhancement mode N-Channel, Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 240 V
Continuous Drain Current (ID) 21 mA (Ta) —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.5 V (logic level, rated) —
On-State Resistance (RDS(on)) max 500 ohm at ID = 21 mA —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW (Ta) —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 C to +150 C —
Paket SOT-23-3 (PG-SOT23) PG-SOT223-4 (SOT-223)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 —
dv/dt Rated Yes —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS Durumu Compliant (lead-free) Compliant
Klorürsüz Yes, per IEC 61249-2-21 —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited floor life)
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSP129H6906XTSA1
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 350 mA
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 1.8 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 6 Ohm (max)
Operating Mode — Normally-On (Depletion)
Gate-Source Pinch-Off Voltage — [DATA_NEEDED: VGS(off) typical value]
Pin Sayısı — 3 functional + 1 tab (4 leads)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — [DATA_NEEDED: TJ max]
ESD Protection — Integrated Zener diodes on gate

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin