BSS127H6327XTSA2 vs BSP129H6906XTSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSS127H6327XTSA2 بواسطة Infineon و BSP129H6906XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
BSP129H6906XTSA1 BSP129H6906XTSA1 - 240V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP129H6906XTSA1 - 240V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP129H6906XTSA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل BSS127H6327XTSA2 BSP129H6906XTSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel SIPMOS, enhancement mode N-Channel, Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 240 V
Continuous Drain Current (ID) 21 mA (Ta) —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.5 V (logic level, rated) —
On-State Resistance (RDS(on)) max 500 ohm at ID = 21 mA —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW (Ta) —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 C to +150 C —
العلبة SOT-23-3 (PG-SOT23) PG-SOT223-4 (SOT-223)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الأطراف 3 —
dv/dt Rated Yes —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
حالة RoHS Compliant (lead-free) Compliant
خالٍ من الهالوجين Yes, per IEC 61249-2-21 —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited floor life)
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSP129H6906XTSA1
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 350 mA
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 1.8 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 6 Ohm (max)
Operating Mode — Normally-On (Depletion)
Gate-Source Pinch-Off Voltage — [DATA_NEEDED: VGS(off) typical value]
عدد الدبابيس — 3 functional + 1 tab (4 leads)
نطاق درجة حرارة التشغيل — [DATA_NEEDED: TJ max]
ESD Protection — Integrated Zener diodes on gate

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر