BSS138LT1G vs FDV301N Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSS138LT1G tarafından onsemi ve FDV301N tarafından onsemiAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSS138LT1G FDV301N
Marka onsemi onsemi
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Türü N-Channel MOSFET N-Channel Enhancement Mode MOSFET (Digital FET)
Drain-Source Voltage (VDS) 50 V —
Continuous Drain Current (ID) 200 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 225 mW (Ta) —
On-Resistance Max (RDS(on)) 3.5 ohm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Gate-Source Voltage Max (VGS) [DATA_NEEDED: maximum gate-source voltage] —
Configuration Single FET —
Channel Mode Enhancement Mode —
Paket SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
RoHS Durumu Compliant (RoHS Compliant and Pb-free per Easybom) [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
Product Family BSS138LT Series Small Signal MOSFET —
Typical Applications Computers, printers, cordless phones, DC-DC converters —
Drain-Source Voltage (Vdss) — 25 V
Continuous Drain Current (Id) — 220 mA (Ta)
Peak Drain Current — 0.5 A
RDS(on) at VGS = 2.7 V — 5 ohm (typical)
RDS(on) typical — 4 ohm
Power Dissipation (Pd) — 350 mW (Ta)
Technology — High cell density DMOS
Gate Drive Type — Logic level (no bias resistors required)
Gate-Source Voltage (Vgs) Max — [DATA_NEEDED: maximum gate-source voltage]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: input capacitance]
Thermal Resistance (RthJA) — [DATA_NEEDED: thermal resistance junction to ambient]
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin