BSS214NWH6327XTSA1 vs BSD316SNH6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSS214NWH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSD316SNH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSS214NWH6327XTSA1 BSD316SNH6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSS214NWH6327XTSA1 —
Series OptiMOS —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 20 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C 1.5 A —
Rds(on) Max @ Vgs=4.5V 250 mOhm —
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5 V, 4.5 V —
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C 500 mW —
Paket PG-SOT323 (SOT-323-3) SOT-363 (PG-SOT363-PO), 6-pin
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı -55C to +150C (junction) —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Product Family — Small Signal N-Channel MOSFET
Polarity — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) — 1.4 A (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta=25C)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Operating Mode — Enhancement-mode
Lead Plating — Pb-free (lead-free)
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL level]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V / 4.5V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
İşletim Sıcaklığı Aralığı — [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature range]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin