BSS306NH6327XTSA1 vs BSS214NH6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSS306NH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSS214NH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSS306NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSS306NH6327XTSA1 —
Part Family BSS306N (OptiMOS Small Signal) —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 2 (planar N-channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 20 V
Continuous Drain Current (ID) 2.3 A (Ta) 1.5 A (Ta)
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 500 mW (Ta)
RDS(on) max [DATA_NEEDED: exact RDS(on) max value in mΩ] —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max in V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) in V] —
Paket SOT-23 (PG-SOT23), 3-pin SOT-23 (PG-SOT23), 3 pins
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı -55°C to +150°C (TJ) —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) AEC-Q101 (Automotive)
Lead Plating Pb-free (RoHS compliant) —
Configuration Single N-Channel, 3-pin —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) — 250 mOhm at VGS = 4.5 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values]
Gate-Source Voltage (VGS max) — ±12 V (recommended)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C (junction)
Lead Finish — Pb-free lead plating (matte tin)
RoHS Durumu — Compliant
MSL Seviyesi — 1 (per JEDEC J-STD-020)
ESD Protection — Yes (gate ESD diode)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin