BSS314PEH6327XTSA1 vs BSS214NH6327XTSA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSS314PEH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSS214NH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSS314PEH6327XTSA1 | BSS214NH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | P-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | OptiMOS 2 (planar N-channel) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | -30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ TA=25C | -1.5 A | — |
| Power Dissipation (PD) @ TA=25C | 500 mW | — |
| RDS(on) max @ VGS=-10V | 140 mOhm | — |
| RDS(on) max @ VGS=-4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at -4.5V VGS] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Gate Drive Voltage (max Rds(on)) | -4.5 V, -10 V | — |
| Paket | PG-SOT23-3 (SOT-23-3) | SOT-23 (PG-SOT23), 3 pins |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +150 C (TJ) | -55C to +150C (junction) |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | AEC-Q101 (Automotive) |
| Pin Configuration | G-D-S (Gate, Drain, Source) | — |
| MSL Seviyesi | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 1.5 A (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 500 mW (Ta) |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) | — | 250 mOhm at VGS = 4.5 V |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | — | ±12 V (recommended) |
| Lead Finish | — | Pb-free lead plating (matte tin) |
| ESD Protection | — | Yes (gate ESD diode) |