BSS806NH6327XTSA1 vs BSP149H6327XTSA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSS806NH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSP149H6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSS806NH6327XTSA1 | BSP149H6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 2 (trench MOSFET) | SIPMOS |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 2.3 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) | 57 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.8 V rated (logic level) | — |
| Gate Drive (recommended VGS) | 1.8 V to 10 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: typical Qg] | — |
| Power Dissipation (PD, Ta) | 500 mW | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +150 C (junction) | — |
| Paket | PG-SOT23-3 (SOT-23-3) | PG-SOT223-4 (SOT-223-4) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| RoHS Durumu | Compliant (Pb-free plating) | Compliant |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Transistor Polarity | — | N-Channel |
| Mode of Operation | — | Depletion Mode (normally ON) |
| Drain-Source Voltage VDS | — | 200 V |
| Continuous Drain Current ID | — | 660 mA (Ta) |
| Power Dissipation PD | — | 1.8 W (Ta) |
| On-State Resistance RDS(on) | — | 1 ohm (typ) |
| Gate-Source Voltage VGS | — | [DATA_NEEDED: max VGS rating] |
| İşletim Sıcaklığı | — | -55 C to +150 C (Tj) |
| Channel Count | — | 1 |
| Pin Sayısı | — | 4 (G, D, S, tab) |
| Configuration | — | Single |