BSZ024N04LS6ATMA1 vs IQD005N04NM6CGATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSZ024N04LS6ATMA1 tarafından Infineon ve IQD005N04NM6CGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
BSZ024N04LS6ATMA1 BSZ024N04LS6ATMA1 - 40V 24A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

BSZ024N04LS6ATMA1 - 40V 24A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

BSZ024N04LS6ATMA1 ✓ Aktif
Infineon
IQD005N04NM6CGATMA1 IQD005N04NM6CGATMA1 - 40V 0.5mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IQD005N04NM6CGATMA1 - 40V 0.5mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IQD005N04NM6CGATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSZ024N04LS6ATMA1 IQD005N04NM6CGATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 6 (shielded-gate trench) OptiMOS 6 (trench FET)
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Ta) 24 A —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 40 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) 130 A —
R_DS(on) Max @ V_GS=10V 2.4 mΩ —
R_DS(on) Max @ V_GS=4.5V [DATA_NEEDED: R_DS(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 2.3 V (typical) —
Total Gate Charge (Q_g) @ V_GS=10V 25 nC —
Input Capacitance (C_iss) 1.8 nF —
Output Capacitance (C_oss) 19 pF —
Power Dissipation (P_D, Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (P_D, Tc) 75 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55°C to +175°C —
Paket PG-TSDSON-8-FL (3.3 mm x 3.3 mm) PG-TTFN-9-U02 (Source-Down 5x6 mm²)
Montaj Türü Surface Mount, top-side drain pad Surface Mount
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
RDS(on) Typical — 0.5 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 58 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 610 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed rating]
Power Dissipation at Ta — 3 W
Power Dissipation at Tc — 333 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 °C to +150 °C (TJ)
Pin Sayısı — 9
Lead-Free — Yes
Source Configuration — Source-Down (bottom-side source for PCB heatsinking)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin